シャロートレンチ

半導体デバイスを形成する際に用いられる素子分離法のひとつ。STIやシャロートレンチと称されることもある。通常の形成法は、まず、窒化膜をマスクとしてシリコン基板にトレンチ溝を掘る。この溝にCVDなどで酸化膜を埋め込んだあと、マスクとなった窒化膜をCMPストッパーとして平坦化研磨を行う。その後、選択的に窒化膜を除去することによりシリコン基板上に素子分離を行う酸化膜ブロックを形成する。従来の代表的素子分離法であるLOCOS法では、酸化による体積変化があって、バーズピークと呼ばれるマスク寸法に対する変換差が発生することが問題となっていた。この方法によれば寸法変換差は原理上ほぼゼロにできるほど小さくなるので、極微細ルールを用いた半導体デバイスに特に必要とされる素子分離法である。